和日本DNP实现2nm工艺光掩模图案化
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IT之家 12 月 27 日消息
，
DNP 大日本印刷当地时间本月 12 日宣布
，
成功在其光掩模制品上绘制了支持 2nm 及以下 EUV 工艺的精细光掩模图案；同时该企业还完成了支持 High NA EUV 光刻的光掩模的初步评估并已向生态合作伙伴出样
。


IT之家注：

在现代光刻系统中
，
光掩模上的“大图案”是在晶圆上的芯片电路“小图案”的模板
。


DNP 在 2023 年完成了适用于 3nm 工艺的光掩模开发
，
而满足 2nm 及以下工艺的光掩模不仅需要在直线图案尺寸上较 3nm 世代产品缩小 20%
，
也需要在复杂度更为凸显的曲线图案上实现同比例的尺寸压缩
。


DNP 此次成功绘制精细图案
，
意味着其光掩模产品可满足 2nm 及以下名义制程逻辑半导体的生产需求
，
为更高效逻辑芯片的曝光打下了基础
。
该企业计划于 2027 财年（起始于同自然年 4 月）实现 2nm 光掩模量产
。


考虑到 DNP 和 Rapidus 双方的合作关系
，
DNP 的光掩模新品预计将用于 Rapidus 计划于 2025 年 4 月启动的 2nm 试产线
。


网友看法

1、网友世朋：[赞]

2、网友小布哥：日本的技术，就是这么牛！